三星宣布正式量產(chǎn)第9代V-NAND閃存,首批生產(chǎn)的是1Tb(128GB)TLC 3D NAND閃存芯片,相比上一代產(chǎn)品,單位面積存儲(chǔ)密度提高了約50%,同時(shí)功耗降低了10%。三星還引入了新的技術(shù),避免單元干擾并延長單元壽命,同時(shí)取消備用通道孔大幅減少了存儲(chǔ)單元的平面面積。三星在第9代V-NAND閃存的生產(chǎn)中,在金屬化工藝過程中使用了鎢,另一種則使用了鉬(Mo)。目前行業(yè)內(nèi)使用鎢來降低層高已達(dá)到極限,換成鉬可將層高再降低30%至40%,而且還能降低NAND的延遲。三星決定更多地使用鉬,意味著NAND材料價(jià)值鏈將發(fā)生一些變化。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
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