近期存儲市場呈現(xiàn)"現(xiàn)貨價格高位盤整、成本倒掛壓力加劇"的復(fù)雜格局。TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示,DDR4、DDR5模組價格連續(xù)多日小幅上漲,金士頓等頭部廠商本周再度上調(diào)DRAM報價,但NAND閃存現(xiàn)貨市場因供應(yīng)商惜售策略,晶圓價格持續(xù)攀升,部分存儲成品已陷入"成本漲幅超成品提價"的倒掛困境。這一現(xiàn)象折射出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料成本傳導(dǎo)的滯后性,以及全球供應(yīng)鏈韌性面臨的新考驗。
銅價波動加劇存儲產(chǎn)業(yè)鏈成本壓力
存儲芯片制造高度依賴銅材作為電路基材,銅箔作為導(dǎo)電層核心材料,其價格波動直接影響生產(chǎn)成本。根據(jù)金屬網(wǎng)監(jiān)測,2025年12月4.5μm鋰電銅箔均價觸及127,500元/噸,顯著上漲,成本傳導(dǎo)效率不足導(dǎo)致企業(yè)毛利率承壓。印尼鎳鈷冶煉項目因基礎(chǔ)設(shè)施延遲投產(chǎn),加劇銅箔原料供應(yīng)緊張,存儲廠商采購成本持續(xù)攀升。
供需錯配下的市場博弈
存儲市場當(dāng)前呈現(xiàn)"結(jié)構(gòu)性短缺"特征:AI服務(wù)器、自動駕駛等領(lǐng)域?qū)Ω唠A存儲需求激增,但傳統(tǒng)消費電子需求疲軟導(dǎo)致產(chǎn)能分配失衡。盡管TrendForce預(yù)測2026年全球DRAM產(chǎn)能將增長12%,但極薄化、高頻高速銅箔產(chǎn)能擴(kuò)張滯后,制約高端存儲產(chǎn)品交付能力。現(xiàn)貨市場出現(xiàn)"中間商拋售庫存、廠商囤貨待漲"的博弈局面,DDR5模組現(xiàn)貨溢價率擴(kuò)大至15%,而NAND晶圓因供應(yīng)商惜售,實際成交價較合約價高出8%-10%。
技術(shù)迭代與政策干預(yù)重塑行業(yè)格局
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向3nm以下制程推進(jìn),推動銅箔向超薄化、高純度方向升級。臺積電3nm工藝銅箔線寬需控制在15μm以內(nèi),對銅箔平整度、抗拉強(qiáng)度提出更高要求。與此同時,歐盟碳邊境調(diào)節(jié)機(jī)制(CBAM)全面實施,要求出口存儲產(chǎn)品需通過綠電銅箔認(rèn)證,再生銅箔使用比例不得低于30%,倒逼企業(yè)加速技術(shù)改造。
后市展望:成本壓力倒逼產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
短期來看,銅價高位震蕩與存儲產(chǎn)品漲價滯后的矛盾將持續(xù)擠壓廠商利潤空間,行業(yè)或迎來新一輪洗牌。中長期而言,半導(dǎo)體與新能源產(chǎn)業(yè)的深度融合將催生新的需求增長點:AI芯片集成度提升帶動高密度封裝銅箔需求,新能源汽車智能化趨勢推動車規(guī)級存儲芯片用量倍增。
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