長江存儲國家存儲器基地項目二期（土建）開工

中新網(wǎng)北京6月21日電 由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期(土建)20日在武漢東湖高新區(qū)開工。

湖北省委書記、省人大常委會主任應(yīng)勇宣布項目(土建)開工。

長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計劃分兩期建設(shè)3DNAND閃存芯片工廠。

項目一期于2016年底開工建設(shè)，進展順利，32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。

湖北省委副書記、省長王曉東在致辭中表示，國家存儲器基地項目二期開工，是落實中央支持湖北一攬子政策的具體行動，也是強化湖北疫后重振重大項目支撐的有力舉措。

王曉東說，湖北雖然遭受疫情前所未有的沖擊，但經(jīng)濟長期向好的基本面沒有改變，多年積累的綜合優(yōu)勢沒有改變，在國家和區(qū)域發(fā)展中的重要地位沒有改變。湖北、武漢各級各部門將全力以赴為項目創(chuàng)造最好條件、提供最好服務(wù)，有呼必應(yīng)、無事不擾，在項目推進、要素保障、配套服務(wù)等方面當(dāng)好貼心“店小二”，把項目打造成湖北高質(zhì)量發(fā)展的樣板工程、標桿工程，展現(xiàn)湖北一流的營商環(huán)境，匯聚更強的發(fā)展預(yù)期和信心。

紫光集團、長江存儲董事長趙偉國表示，國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

備注：數(shù)據(jù)僅供參考，不作為投資依據(jù)。