10nm將曇花一現(xiàn)？英特爾爆7nm工藝進(jìn)度！

現(xiàn)在，事實證明，英特爾的10納米可能是一個短生命節(jié)點(diǎn)，因為該公司的7納米技術(shù)正按照其原始計劃進(jìn)行引入。

英特爾在過去曾多次表示，他們?yōu)?0納米制造工藝設(shè)定了過于激進(jìn)的縮放/晶體管密度目標(biāo)，這也是他們在過去多年在開發(fā)過程中遇到問題的原因。根據(jù)英特爾的計劃，他們的10制造技術(shù)完全依賴于工作在193納米波長的深紫外光光刻機(jī)（DUVL）。為了實現(xiàn)英特爾在10納米上實現(xiàn)的精細(xì)特征尺寸，該過程必須大量使用多重圖案。根據(jù)英特爾的說法，在這個過程中碰到的一個主要問題恰恰就是他們對多重圖形的大量使用（SAQP曝光技術(shù)，即自對準(zhǔn)四重曝光）。

日前，英特爾首席工程官兼技術(shù)，系統(tǒng)架構(gòu)和客戶群總裁Murthy Renduchintala在納斯達(dá)克第39屆投資者大會上透露了公司的7nm計劃，他表示：

“我們有一個相對獨(dú)立的團(tuán)隊在進(jìn)行7納米產(chǎn)品的研發(fā)。我們對7 nm的進(jìn)展也感到非常滿意。我認(rèn)為我們已經(jīng)從10 nm的推進(jìn)中吸取了大量的經(jīng)驗，因為我們對此進(jìn)行了定義，并在晶體管密度，功率和性能以及進(jìn)度可預(yù)測性之間定義了不同的優(yōu)化點(diǎn)。根據(jù)我們最初的內(nèi)部計劃，我們非常非常專注于7納米，并寄望盡快獲得成功。”

“我要說的一點(diǎn)是，當(dāng)你看到7納米時，對于我們來說，這就是我們將EUV投入制造矩陣的時間點(diǎn)，因此我認(rèn)為，這將給從一定程度上支持我們重新回到傳統(tǒng)摩爾定律的節(jié)奏?！?/p>

“到了[7納米]，我們將回到更像是一個2倍的縮放目標(biāo)，然后真正向前推進(jìn)這個目標(biāo)?！保琈urthy說。

英特爾從未公開其7納米制造技術(shù)的細(xì)節(jié)，但多圖案使用的大幅減少以及更傳統(tǒng)的2倍縮放目標(biāo)與10納米相比表明，EUVL的使用將更為廣泛。

根據(jù)ASML，一個EUV層需要一個EUV步進(jìn)掃描系統(tǒng)，每月約45,000個晶圓啟動。因此，如果英特爾計劃將EUVL廣泛用于10到20層，那么對于每個月需要啟動100,000個晶圓的工廠來說，那就需要大約20到40個EUV光刻機(jī)?？紤]到英特爾不是唯一計劃在2020年使用EUV光刻機(jī)的公司。因此，在多個晶圓廠獲得HVM需要的EUV光刻機(jī)數(shù)量，對英特爾來說可能是一個挑戰(zhàn)。

與此同時，到目前為止，英特爾已宣布計劃只有一個7納米晶圓廠：亞利桑那州的Fab 42。此外，該公司將在D1工廠擁有7納米的容量，用于開發(fā)和試驗（以及其他方面）。

備注：數(shù)據(jù)僅供參考，不作為投資依據(jù)。