臺積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片功耗僅類似技術(shù)的1%,1月18日訊,臺積電在次世代MRAM存儲器相關(guān)技術(shù)傳捷報,攜手工研院開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器陣列芯片,搭配創(chuàng)新的運算架構(gòu),功耗僅其他類似技術(shù)的1%。臺積電已經(jīng)成功開發(fā)出22納米、16/12納米制程等相關(guān)MRAM產(chǎn)品線,并手握存儲器、車用等市場訂單,搶占MRAM商機。
備注:數(shù)據(jù)僅供參考,不作為投資依據(jù)。
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