Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

此外，相比市面上其他業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅MOSFET器件，Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更優(yōu)越的性能。 碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應(yīng)用包括：

· 太陽(yáng)能逆變器

· 開關(guān)模式和不間斷電源

· 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

· 高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 感應(yīng)加熱

“此產(chǎn)品可改善現(xiàn)有應(yīng)用，并且Littelfuse應(yīng)用支持網(wǎng)絡(luò)可促進(jìn)新的設(shè)計(jì)方案?！盠ittelfuse半導(dǎo)體事業(yè)部電源半導(dǎo)體全球產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可為基于硅的傳統(tǒng)功率晶體管器件提供富有價(jià)值的替代選擇。 相比同類IGBT，MOSFET器件結(jié)構(gòu)可減少每個(gè)周期的開關(guān)損耗并提高輕載效率。 固有的材料特性讓碳化硅MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導(dǎo)通電阻和結(jié)電容方面優(yōu)于硅MOSFET?！?/p>

新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝，具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：

· 專為高頻、高效應(yīng)用優(yōu)化

· 極低柵極電荷和輸出電容

· 低柵極電阻，適用于高頻開關(guān)

備注：數(shù)據(jù)僅供參考，不作為投資依據(jù)。